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Si4448DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
55
44
33
22
11
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
10
8
6
4
2
0
2.0
1.6
1.2
0. 8
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Foot
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 69653
S09-0138-Rev. B, 02-Feb-09
www.vishay.com
5
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SI4450DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 7.5A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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